发明名称 离子注入机
摘要 本发明属于半导体器件制作技术领域,是一种多晶硅薄膜晶体管离子注入机。本发明包含有真空室,抽气装置,气路部分,电控制器。本发明的气路部分通过配气截止阀同真空室连接,向真空室运送所要注入的气体。抽气装置通过角阀和闸板阀同真空室连接,利用真空泵使真空室保持一定的真空度。电控制器连接所有的用电部件,作为本发明的电源。本发明采取离子通量注入的方式,省去了现有技术中质量分析系统、离子束聚焦和扫描系统,因此结构简单,而且可以大面积的离子注入。在抽气装置上增加大排量机械泵,使本发明可以用作化学气相淀积PECVD和等离子刻蚀。
申请公布号 CN1547240A 申请公布日期 2004.11.17
申请号 CN200310115894.0 申请日期 2003.12.08
申请人 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 发明人 付国柱;邵喜斌;荆海;廖燕平;高文涛;史辉琨
分类号 H01L21/265;H01J37/317 主分类号 H01L21/265
代理机构 长春科宇专利代理有限责任公司 代理人 李恩庆
主权项 1、一种多晶硅薄膜晶体管离子注入机包含有真空室(15)、抽气装置(5)、气路部分、电控制器,其特征是气路部分通过配气截止阀(13)同真空室(15)连接,向真空室运送气态离子;抽气装置(5)通过角阀(17)和闸板阀(18)同真空室(15)连接,利用真空泵使真空室(15)保持一定的真空度;电控制器连接所有的用电部件,作为本实用新型的的电源;玻璃基板(4)在接地电极(9)的下方,基板衬底采用5路电阻丝加热,保证温度均匀性。
地址 130031吉林省长春市东南湖大路16号