发明名称 | 改良的半导体抗浪涌器件 | ||
摘要 | 本实用新型是对过电压保护用半导体抗浪涌器件的改进,其特征在于所说半导体固体芯片有二片,相间熔焊在同一电极片表面,两芯片另一极及电极片分别与三外电极电连接,芯片保护封装在电极片或散热片上。本实用新型不仅可使原来二个半导体芯片单独二次封装,简化为一次封装,而且减少了使用中组装连接零件,简化了组装工艺,尤其是彻底消除了分立元件弹簧夹持组装结构带来的缺陷。本实用新型较已有技术具有结构简单,生产成本低,整体电性能更稳定,安全性好,同时可简化保安单元。 | ||
申请公布号 | CN2657202Y | 申请公布日期 | 2004.11.17 |
申请号 | CN03278785.5 | 申请日期 | 2003.09.24 |
申请人 | 江苏东光微电子股份有限公司 | 发明人 | 陈俊标;王权 |
分类号 | H01L23/62 | 主分类号 | H01L23/62 |
代理机构 | 宜兴市天宇专利事务所 | 代理人 | 史建群;李妙英 |
主权项 | 1、一种半导体抗浪涌器件,包括半导体固体芯片、外电极和保护封装,其特征在于所说半导体固体芯片有二片,相间熔焊在同一电极片表面,两芯片另一极及电极片分别与三外电极电连接,芯片保护封装在电极片或散热片上。 | ||
地址 | 214205江苏省宜兴市环科园绿园路42号 |