发明名称 改良的半导体抗浪涌器件
摘要 本实用新型是对过电压保护用半导体抗浪涌器件的改进,其特征在于所说半导体固体芯片有二片,相间熔焊在同一电极片表面,两芯片另一极及电极片分别与三外电极电连接,芯片保护封装在电极片或散热片上。本实用新型不仅可使原来二个半导体芯片单独二次封装,简化为一次封装,而且减少了使用中组装连接零件,简化了组装工艺,尤其是彻底消除了分立元件弹簧夹持组装结构带来的缺陷。本实用新型较已有技术具有结构简单,生产成本低,整体电性能更稳定,安全性好,同时可简化保安单元。
申请公布号 CN2657202Y 申请公布日期 2004.11.17
申请号 CN03278785.5 申请日期 2003.09.24
申请人 江苏东光微电子股份有限公司 发明人 陈俊标;王权
分类号 H01L23/62 主分类号 H01L23/62
代理机构 宜兴市天宇专利事务所 代理人 史建群;李妙英
主权项 1、一种半导体抗浪涌器件,包括半导体固体芯片、外电极和保护封装,其特征在于所说半导体固体芯片有二片,相间熔焊在同一电极片表面,两芯片另一极及电极片分别与三外电极电连接,芯片保护封装在电极片或散热片上。
地址 214205江苏省宜兴市环科园绿园路42号