发明名称 |
画素结构及其制造方法 |
摘要 |
本发明是关于一种画素结构及其制造方法,该画素结构适于配置在一基板上。该画素结构主要是由一扫瞄配线、一资料配线、一主动组件、一电容电极、一画素电极与一电场遮蔽层构成。该画素结构的制造方法,主要是在基板上先形成主动组件、扫瞄配线与资料配线,主动组件是电性连接至扫瞄配线与资料配线。此外,在基板上形成电容电极与电场遮蔽层,电场遮蔽层覆盖资料配线。最后,在基板上形成画素电极,覆盖电容电极且电性连接至主动组件。其中,画素电极与电容电极是电性耦合为一画素储存电容。电场遮蔽层可避免资料配线与画素电极之间发生串音现象。 |
申请公布号 |
CN1547067A |
申请公布日期 |
2004.11.17 |
申请号 |
CN200310121501.7 |
申请日期 |
2003.12.16 |
申请人 |
友达光电股份有限公司 |
发明人 |
杨健生 |
分类号 |
G02F1/136;G02F1/01;H01L29/786 |
主分类号 |
G02F1/136 |
代理机构 |
北京中原华和知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
寿宁;张华辉 |
主权项 |
1、一种画素结构及其制造方法,适于配置在一基板上,其特征在于该画素结构至少包括:一扫瞄配线,配置于该基板上;一数据配线,配置于该基板上;一主动组件,邻近配置于该扫瞄配线与该数据配线交会处的该基板上,且该主动组件是电性连接至该扫瞄配线与该资料配线;一电容电极,配置于该基板上;一画素电极,配置于该电容电极上方且电性连接至该主动组件,其中该画素电极与该电容电极是电性耦合为一画素储存电容;以及一电场遮蔽层,配置于该数据配线与该画素电极之间。 |
地址 |
中国台湾 |