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发明名称 METHOD OF FORMING A VERTICAL DOUBLE GATE SEMICONDUCTOR DEVICE AND STRUCTURE THEREOF
摘要
申请公布号 EP1476901(A1) 申请公布日期 2004.11.17
申请号 EP20030713336 申请日期 2003.01.31
申请人 FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. 发明人 MATHEW, LEO;NGUYEN, BICH-YEN;SADD, MICHAEL;WHITE, BRUCE, E.
分类号 H01L21/28;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/78;H01L29/786;(IPC1-7):H01L21/336 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人
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