一种于具自动对准接触窗机构的基材上形成电容器的方法

摘要

一种于具自动对准接触窗机构的基材上形成电容器的方法，该基材至少包含两个字元机构与一主动区域，该方法至少包含以下步骤：形成一第一介电层；形成一接触洞于该介电层之中；形成一导电层于该接触洞的底部；形成一多晶硅间隙壁；形成一介电间隙壁；填满该接触洞；形成三个次接触洞；形成一半球型硅晶粒层于该次接触洞的表面；形成第二介电层；及形成一上电极于该第二介电层之上。由此而能增加电容器储存电荷的能力。

主权项

1.一种于具自动对准接触窗机构的基材上形成电容器的方法，该基材至少包含两个字元结构与一主动区域，该方法至少包含以下步骤：形成一具有平坦上表面的第一介电层于该字元结构与该主动区域上；形成一接触洞于该介电层之中，以曝露部份该字元机构与该主动区域；形成一导电层于该接触洞的底部；形成一多晶硅间隙壁于该接触洞的侧壁上；形成一介电间隙壁于该多晶硅间隙壁的侧壁上；填满该接触洞，其是以多晶硅棒完成；形成三个次接触洞，其是利用回蚀该多晶硅间隙壁与该多晶硅棒而完成，并留有部份该多晶硅间隙壁与该多晶硅棒于该次接触洞的底部；形成一半球型硅晶粒层于该次接触洞的表面；形成第二介电层于该半球型硅晶粒层之上；及形成一上电极于该第二介电层之上。