晶体管控制纳米管场发射显示阵列及其实现方法

摘要

本发明涉及了一种将晶体管和碳纳米管场发射显示阵列集成在一起的结构，以及实现这种结构的方法。其特征在于将晶体管的漏同时作为碳纳米管场发射显示阵列的阴极，再在该漏上制作碳纳米管场发射显示阵列，以达到利用晶体管优良的电流控制特性来控制碳纳米管场发射显示阵列发射电流的目的。制备晶体管控制碳纳米管场发射显示阵列的方法，依次包括在基板上形成晶体管，然后在晶体管漏沉积发射阵列栅绝缘层和发射阵列的栅电极并刻蚀栅孔，最后沉积碳纳米管。采用本发明提供的方法所制作的场发射显示阵列能够使场发射显示器的发射电流稳定、均匀显示，并且发射电流可由晶体管精确控制。

主权项

1.一种晶体管控制的碳纳米管场发射显示阵列结构，包括作为器件载体的基板、在基板上的场效应晶体管，以及位于晶体管漏上的碳纳米管场发射显示阵列，其特征在于晶体管的漏同时作为碳纳米管场发射显示阵列的阴极，将晶体管与碳纳米管发射阵列结合起来，由晶体管控制碳纳米管发射阵列的开关和发射电流的大小。