| 主权项 |
1.一种半导体处理用的成膜方法，用于在载置于气密的处理室中的载置台上的被处理基板上，形成包含金属元素的膜，其特征在于，包括：(a)在将所述被处理基板搬入到所述处理室中之前，利用预涂敷来覆盖所述载置台的预涂敷工序；(b)在所述预涂敷工序后，将所述被处理基板搬入到所述处理室中，在所述被处理基板上形成主膜的成膜工序，所述预涂敷工序包括：第1工序，在加热所述载置台的同时一边将所述处理室中排气，一边将含有包括所述金属元素的原料气体的第1处理气体供给至所述处理室中，在所述载置台上形成包含所述金属元素的弧形膜；第2工序，在加热所述载置台的同时一边将所述处理室中排气，一边将不含有包括金属元素的原料气体的第2处理气体供给到所述处理室中，通过排气，将在所述第1工序中产生的、除了形成所述弧形膜的成分之外的副产生物从所述处理室中除去；以及通过多次重复所述第1和第2工序，层叠多层弧形膜，形成所述预涂敷的工序，所述成膜工序包括：将所述被处理基板搬入所述处理室中，载置到所述载置台上的工序；在加热所述载置台的同时一边将所述处理室中排气，一边将所述第1和第2处理气体供给至所述处理室中，在所述被处理基板上形成包含所述金属元素的所述主膜的工序。 |
