| 发明名称 | 陶瓷衬底多晶硅薄膜太阳能电池 | ||
| 摘要 | 本发明公开了属于太阳能技术范围的一种陶瓷衬底多晶硅薄膜太阳能电池。在陶瓷衬底上沉积隔离层及形成p型多晶硅薄膜，扩散制备p－n结，激光刻槽剥离部分区域的n型硅层，制作的正电极和n型硅层连接、裸露出的反电极和p型多晶硅薄膜连接。以使正电极和反电极都从电池正面引出，解决了陶瓷衬底不导电，反电极无法从背面引出的问题。材料易得，成本低，工艺成熟，性能价格比高。 | ||
| 申请公布号 | CN1547259A | 申请公布日期 | 2004.11.17 |
| 申请号 | CN200310117095.7 | 申请日期 | 2003.12.09 |
| 申请人 | 清华大学 | 发明人 | 黄勇;李海峰;张厚兴;万之坚;张立明;马天 |
| 分类号 | H01L31/04 | 主分类号 | H01L31/04 |
| 代理机构 | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李光松 |
| 主权项 | 1.一种陶瓷衬底多晶硅薄膜太阳能电池，其特征在于：在陶瓷衬底(1)上沉积隔离层(2)，在隔离层(2)上形成p型多晶硅薄膜(3)，扩散制备p-n结，激光刻槽剥离部分区域的n型硅层(4)，制作的正电极(5)和n型硅层(4)连接、裸露出的反电极(6)和p型多晶硅薄膜(3)连接；正电极(5)和反电极(6)都从电池正面引出。 | ||
| 地址 | 100084北京市100084－82信箱 | ||