| 发明名称 | CMOS制造中改进热载流子效应的工艺集成方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种超大规模集成电路CMOS制造中改善热载流子效应的工艺集成方法。通过在栅氧化工艺前及晶体管栅多晶图形定义完成后分别增加热氧化工艺，可以有效减少栅氧化层内的界面陷阱，特别是漏端靠近多晶边缘的氧化层界面陷阱，从而降低热载流子在栅氧内被捕获的几率，改善热载流子效应。 | ||
| 申请公布号 | CN1547256A | 申请公布日期 | 2004.11.17 |
| 申请号 | CN200310109460.X | 申请日期 | 2003.12.16 |
| 申请人 | 上海华虹(集团)有限公司;上海集成电路研发中心有限公司 | 发明人 | 王炜 |
| 分类号 | H01L21/8238;H01L21/31;H01L21/336 | 主分类号 | H01L21/8238 |
| 代理机构 | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人 | 滕怀流;陶金龙 |
| 主权项 | 1、一种超大规模集成电路CMOS制造中改进热载流子效应的工艺集成方法，其特征是：在栅氧化工艺前增加热氧化工艺，生长一氧化层，再用湿法腐蚀的方法将氧化层去除；在晶体管栅多晶图定义完成之后，进行热氧化工艺，生长一氧化层，该氧化层在晶体管漏源工艺前不被去除。 | ||
| 地址 | 200020上海市淮海中路918号18楼 | ||