一种硅半导体器件双级台阶结构的湿法化学腐蚀方法

摘要

本发明公开了一种硅半导体器件双级台阶结构的湿法化学腐蚀方法，采用HF、HNO₃和CH₃COOH的混合液作为腐蚀液，利用硅片在腐蚀液中轻微搅拌或不搅拌情况下的腐蚀特点，合理设计腐蚀掩膜图形窗口尺寸和窗口间距，通过一次掩膜工序可在硅基底上形成双级台阶结构。采用本发明所提供的方法操作简单、成本低廉。所形成的双级台阶结构具有尺寸可随要求变化且层次分明的特点。

主权项

1.一种硅半导体器件双级台阶结构的湿法化学腐蚀方法，其特征在于：在硅基底上生长腐蚀掩膜，通过一次掩膜工序作好选择性掩膜图形；将附有图形的待腐硅片图形向上水平浸入化学腐蚀液中，化学腐蚀液是HF、HNO3和CH3COOH的混合液；对于台阶底面距硅片表面较深情况，腐蚀液可以轻微搅拌，对于台阶底面距硅片表面较浅情况，腐蚀液可不搅拌；在腐蚀过程中，腐蚀液的温度控制在3℃-5℃范围内，并根据台阶深度来确定所需要的腐蚀时间；然后，将取出的硅片用去离子水冲洗干净，放入抛光腐蚀液中抛光处理10-15分钟，抛光腐蚀液是HF和HNO3的混合液；然后用氮气吹干或烘干。