发明名称 | 硅基级联式MEMS移相器 | ||
摘要 | 一种硅基级联式MEMS移相器,属于微电子机械和微波通讯器件技术领域。背景技术的级联式MEMS移相器,插入损耗低,移相范围大,下拉电压较高。本实用新型的硅基级联式MEMS移相器,不仅插入损耗小、移相范围大,而且下拉电压低。本实用新型的技术方案是在已有的硅基级联式MEMS移相器上,部分加宽金属弹性桥4的桥面宽度和选用合适的金属弹性桥4的构成材料。本实用新型的硅基级联式MEMS移相器还有寿命长,易于与其他元器件集成,体积小,易于制造,生产成本低的优点。 | ||
申请公布号 | CN2657214Y | 申请公布日期 | 2004.11.17 |
申请号 | CN03255246.7 | 申请日期 | 2003.07.04 |
申请人 | 华东师范大学 | 发明人 | 石艳玲;李炜;卿健;赖宗声;朱自强;忻佩胜 |
分类号 | H01Q3/30;H01Q3/36 | 主分类号 | H01Q3/30 |
代理机构 | 上海德昭专利事务所 | 代理人 | 程宗德 |
主权项 | 1.一种硅基级联式MEMS移相器,由信号线(1)、地线(2)、薄膜(3)、金属弹性桥(4)、衬底(5)、缓冲层(6)和空气间隙(7)组成,薄膜(3)是氮化硅薄膜,衬底(5)是高阻硅片,缓冲层(6)是二氧化硅薄膜,缓冲层(6)热生长在衬底(5)上,信号线(1)和两根地线(2)淀积在缓冲层(6)上,信号线(1)和两根地线(2)组成共面波导传输线,薄膜(3)覆盖在信号线(1)上,多至十三个金属弹性桥(4)以悬浮在信号线(1)上方的方式整齐地横跨在两根地线(2)之间,金属弹性桥(4)、空气间隙(7)和薄膜(3)构成了信号线(1)与地线(2)之间的加载电容,其特征在于,金属弹性桥(4)桥面的中部宽度大于该桥桥面其它部分的宽度。 | ||
地址 | 200062上海市中山北路3663号 |