| 发明名称 | 激光剥离制备自支撑氮化镓衬底的方法 | ||
| 摘要 | 激光剥离制备自支撑氮化镓衬底的方法，采用准分子激光器：激光波长所对应的能量小于蓝宝石带隙能，但是大于GaN的带隙能，激光辐照透过蓝宝石衬底，辐照蓝宝石-氮化镓界面处的GaN，然后加热或弱酸腐蚀，将GaN和蓝宝石分离开米，得到GaN自支撑衬底。尤其是先将氮化镓表面粘在一基片上，再进行激光辐照，将GaN和蓝宝石分离开来后，再以加热方法将基片粘接层分离。 | ||
| 申请公布号 | CN1176483C | 申请公布日期 | 2004.11.17 |
| 申请号 | CN02113085.X | 申请日期 | 2002.05.31 |
| 申请人 | 南京大学 | 发明人 | 张荣;修向前;徐剑;顾书林;卢佃清;毕朝霞;沈波;刘治国;江若琏;施毅;朱顺明;韩平;胡立群 |
| 分类号 | H01L21/00 | 主分类号 | H01L21/00 |
| 代理机构 | 南京知识律师事务所 | 代理人 | 陈建和 |
| 主权项 | 1、激光剥离制备自支撑氮化镓衬底的方法，其特征是先将氮化镓表面粘在一基片上，再进行激光辐照，将GaN和蓝宝石分离开来后，再以加热方法将基片粘接层分离，所采用准分子激光器如下述：激光波长所对应的能量小于蓝宝石带隙能，但是大于GaN的带隙能，激光辐照透过蓝宝石衬底，辐照蓝宝石-氮化镓界面处的GaN，然后加热或弱酸腐蚀，将GaN和蓝宝石分离开来，得到GaN自支撑衬底。 | ||
| 地址 | 210093江苏省南京市汉口路22号 | ||