光二极体及影像感测器

摘要

本发明提供一种能够防止光二极体之pn接面部中之漏电流过大之技术。其系使光二极体D1之n型区域4a从元件分离部2隔开，进一步形成与n型区域4a相接而形成相对高浓度之p型区域5，藉此降低在光二极体D1之n型区域4a和p型区域5之边界产生之空乏层受到由于半导体基板1和元件分离部2之介面水平或者构成半导体基板1之单晶矽之结晶差异所造成之应力等之影响，并减低光二极体D1之pn接面中之漏电流。