矽倍半氧烷树脂,正型光阻组成物,光阻层合物及光阻图型之形成方法

摘要

本发明为提供一种可降低脱气现象之矽倍半氧烷树脂，正型光阻组成物，光阻层合物及光阻图型之形成方法，及适合浸渍微影(immersion lithogaphy)处理步骤之含矽光阻组成物及光阻图案之形成方法。上述矽倍半氧烷树脂，为具有下式所示结构单位者；093104804-p01.bmp(式中，R^1与R^2各自独立为直链状、支链状或环状之饱合脂肪族烃基；R^3为含有单环或多环式基之羟基所得之酸解离性溶解抑制基；R^4为氢原子，或直链状、支链状或环状烷基；X为至少1个氢原子被氟原子取代之碳数1至8之烷基；m为1至3之整数)。093104804-p01.bmp