半导体装置之制造方法及电浆蚀刻装置之清洁方法

摘要

本发明可防止低介电常数绝缘膜的劣化，且有效地剥离沉积于低介电常数绝缘膜上的抗蚀剂掩模剥离。本发明具备在半导体基板1上形成低介电常数绝缘膜5之步骤；在低介电常数绝缘膜上形成抗蚀图案6之步骤；以抗蚀图案作为掩模蚀刻低介电常数绝缘膜之步骤；以及藉由铵离子之电浆处理使抗蚀图案6剥离之步骤。