去除光罩遮光缺陷的方法及其半导体装置之制造方法

摘要

本发明提供一种去除光罩遮光缺陷的方法，适用于微影用光罩，包含透光基底以及光罩图案层设置于该透光基底表面，其中该光罩图案层中具有至少一遮光缺陷，该方法包含下列步骤：首先覆盖一阻剂于该透光基底表面。接着在透光基底上选定包含遮光缺陷之区域，对该区域再进行相同之光罩图案的曝光显影制程，以形成图案化阻剂，并露出该遮光缺陷。以该图案化阻剂为幕罩，蚀刻该区域以去除遮光缺陷。最后，去除阻剂则形成无遮光缺陷之光罩图案层。而藉此方法所形成之光罩，可用于半导体制程中。