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发明名称
气化器
摘要
本发明提供一种气化器,在即使减少随半导体制造(后简称:CVD)原料一同供给的载气供给量,或者在提高溶解在溶剂中的固体CVD原料浓度来进行气化供给的情况下,也能够防止固体CVD原料析出附着在气化室喷出口周围,并可长时间稳定CVD原料,以期望浓度和流量有效地提供气化供给。气化器构成如下:在CVD原料供给部具备双层结构的喷出管,其外管的外壁直径朝气化室喷出口渐窄的具有锥形部或曲线部。
申请公布号
TW200425289
申请公布日期
2004.11.16
申请号
TW093111559
申请日期
2004.04.26
申请人
派欧尼股份有限公司
发明人
高松勇吉;浅野彰良;岩田充弘;田山规
分类号
H01L21/205
主分类号
H01L21/205
代理机构
代理人
何金涂;何秋远
主权项
地址
日本
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