一种利用半导体晶体之自然劈裂面选择性成长氮化物半导体元件的方法

摘要

本发明系为一种利用半导体晶体之自然劈裂面选择性成长氮化物半导体元件的方法，其系可以解决在磊晶过程中的降温过程中晶体裂开的情形，而得到低缺陷密度的晶体，提高磊晶品质，改善元件的性能与可靠度。此制造方法是沿晶体自然劈裂面选择性区域成长氮化物半导体，因此能够有效改善基板与晶体之间晶格常数不匹配和热膨胀系数不同的问题，减少磊晶过程中产生过多的缺陷，同时可降低元件漏电流、操作电压等等。