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发明名称
双层介电层的制造方法
摘要
一种双层介电层的制造方法,适用于一基底之上,仅需要一步沉积制程。此一方法系先形成一低介电系数材质层于基底之上,接着,以一电浆后处理将低介电系数材质层上半部的预定厚度转变成一介电层而形成双层介电层。
申请公布号
TW200425340
申请公布日期
2004.11.16
申请号
TW093110279
申请日期
2004.04.13
申请人
台湾积体电路制造股份有限公司
发明人
黎丽萍;卢永诚;章勋明
分类号
H01L21/31
主分类号
H01L21/31
代理机构
代理人
蔡坤财
主权项
地址
新竹市新竹科学工业园区力行六路八号
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