避免在氧化区表面所生成之矽锗层有不连续情形之方法,以及使用此方法制造异质接合双载子电晶体和双载子互补式金氧半电晶体的方法

摘要

本发明提供一种避免在氧化区表面所生成之矽锗层有不连续情形之方法，其包括以下步骤。首先，提供一基板，其基板表面上具有一氧化区。接着，在压力760torr以下和温度500℃–900℃之下，进行氢气烘烤。接着，在氧化区上形成一矽锗层。本发明之方法可用来制造异质接合双载子电晶体，可在不改变SiGe基极配方和不增加热预算的情况下，有效避免氧化矽区表面所生成SiGe层有不连续情形，且可有效改善SiGe层基极电流的均匀度。