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发明名称
半导体元件
摘要
〔课题〕提供一种在制造液晶显示元件或半导体元件时而利用铝合金薄膜来作为电极层之状态下、即使是不具备所谓盖罩层也可以实现良好之低电阻欧姆接点特性的半导体元件。〔解决手段〕在包括基板和形成于该基板上之半导体层以及构成配线或电极之电极层的半导体元件,具有直接地接合半导体层和电极层之部分,该电极层系藉由含有镍、钴、铁等之迁移金属之铝合金薄膜而形成。
申请公布号
TW200424332
申请公布日期
2004.11.16
申请号
TW093111993
申请日期
2004.04.29
申请人
三井金属业股份有限公司
发明人
池田真;久保田高史
分类号
C23C14/16
主分类号
C23C14/16
代理机构
代理人
洪澄文
主权项
地址
日本
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