| 摘要 |
本发明提供一种半导体装置，具备含有以PN对向分离膜(3)平面地互相分隔的2种类之活性区域(20)的PMOS区域及NMOS区域之半导体基板(1)；以及在该半导体基板(1)上侧以横断总括PMOS区域及PN对向分离膜(3)以及NMOS区域，以线状延伸之双闸极(4)；该双闸极电极(4)含P型部(4a)，N型部(4b)，及夹入其间之PN连接部。该PN连接部含矽化物(silicide)区域(9)。该矽化物区域(9)由平面视之，其PMOS区域，及NMOS区域为分离，形成于PN对向分离膜(3)区域之内侧。 |
