包含矽-锗及金属电极的半导体装置之电容器以及其制造方法

摘要

本发明系一种半导体装置的电容器，包括一圆柱型电容器下部电极、一介电质层、以及一上部电极。该上部电极包括在介电质层上的一金属层，以及堆叠在金属层上的一掺杂多晶Si1–xGex层。本发明也提供制造这些电容器的方法。