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经营范围
发明名称
对接触孔形成所造成损害有抗性之电荷捕捉记忆体阵列
摘要
一种记忆体阵列(100),该记忆体阵列(100)包含基材(222)、具有接点(240)的复数条位元线(224)、以及与该等位元线(224)交叉的复数条字线(201,202)。利用保护间隔物(234)使该位元线接点(240)与邻近该位元线接点(240)的字线(201)隔离,以避免于该位元线接点(240)形成期间所造成的损坏。以及有关一种形成该记忆体阵列之方法。
申请公布号
TW200425408
申请公布日期
2004.11.16
申请号
TW093101343
申请日期
2004.01.19
申请人
飞索股份有限公司
发明人
肯马尔 塔雷;雷斯贝;白岩英彦;张子强
分类号
H01L21/8229
主分类号
H01L21/8229
代理机构
代理人
洪武雄;陈昭诚
主权项
地址
美国
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