具有修复电路用以比较输入位址与修复位址之半导体装置

摘要

本发明提供了一种用以比较输入位址与修复位址之半导体装置包含：一信号控制器，系用于产生各控制信号；一位址闩锁单位，系用于闩锁位址以回应各控制信号；数目为N的M–位元位址比较器，各用于将该位址与所储存的修复位址作比较；一比较器延迟塑造区块，系用于使该控制信号延迟一预定时间亦即该M–位元位址比较器的延迟时间；以及一修复电路控制器，系以该M–位元位址比较器的比较结果为基础用于产生一修复位址启动信号及一正常位址启动信号以回应由该比较器延迟塑造区块输出已延迟控制信号。