侧壁保护之选择性蚀刻方法及应用该方法所组成之结构

摘要

本案关于一种侧壁保护之选择性蚀刻方法，其系包含下列步骤：(a)提供一基板；(b)形成一第一遮罩层于该基板上；(c)形成一第二遮罩层于该第一遮罩层上；(d)形成一光阻层于该第二遮罩层上，而于基板上形成复数个蚀刻窗；(e)进行第一次蚀刻，以使该复数个蚀刻窗向下延伸至部分该基板；(f)进行第二次蚀刻以移除该光阻层，并向下蚀刻该基板以形成不同深度之深槽结构；(g)形成一侧壁补强结构于不同深度之深槽结构的周边；(h)进行第三次蚀刻以移除第二遮罩层，并去除底部之该侧壁补强结构以形成一下结构；以及(i)进行侧向蚀刻，藉以释放一上结构。