发明名称 利用晶向取决非等向蚀刻于矽<110>晶圆上之薄膜体声波谐振器之制造
摘要 一种形成于基板上的薄膜体声波谐振器,其包括一层压电材料,该材料具有第一主要表面和第二主要表面,而夹在第一导电层和第二导电层之间。上面有形成薄膜体声波谐振器的基板当中有一开口,其暴露出薄膜体声波谐振器的第一导电层。该开口实质上是呈平行四边形,其具有第一对的平行边和第二对的平行边。第一对平行边中的一边和第二对平行边中的一边形成非90度的夹角。
申请公布号 TW200425550 申请公布日期 2004.11.16
申请号 TW092124867 申请日期 2003.09.09
申请人 英特尔公司 发明人 王力鹏;葵 马;以色列 颜寇维屈
分类号 H01L41/00 主分类号 H01L41/00
代理机构 代理人 林镒珠
主权项
地址 美国