| 摘要 |
本发明揭示衰减式相移遮罩及交替式相移遮罩藉由在遮罩上相邻图案特征之间传送的辐射中引入一相移，可使装置的解析度增加。一相移遮罩具有一可蚀刻的无机材料层。该无机材料层系在具有一玻璃或石英层及一蚀刻止蚀层的一遮罩基底上形成。由于该蚀刻止蚀层系由蚀刻制程无法蚀刻掉的材料所形成，因此该蚀刻止蚀层使该无机材料层内的图案具有均匀的蚀刻深度。该相移遮罩可具有一衰减材料层来代替该树脂无机聚合物层。该相移遮罩的图案特征亦可由一光学透明或半透明材料或者一不透明材料填充，其具有选择的一折射率及一介电常数以减少该等图案特征各侧壁的边界效应。制造一种在一积体电路、一整合光学系统、磁域记忆体、液晶显示器面板及薄膜磁头中使用的元件可藉由使一基板上的一辐射敏感材料曝光于经由相移遮罩图案化之一辐射投影光束来完成，该相移遮罩具有一蚀刻止蚀层及／或由光学透明或半透明材料或者不透明材料填充的一图案。 |
