发明名称 奈米碳管电子源场发射电流增益制程
摘要 本发明为一种奈米碳管(Carbon Nano Tube)电子源场发射电流增益制程,系将奈米碳管场发射显示器之三极结构中奈米碳管电子源给予一铸塑成型表面处理,以增加奈米碳管裸露在单位电极画素上数目,达到电子源场发射材料提升场发射之电流密度及强度之功效与目的。
申请公布号 TW200425208 申请公布日期 2004.11.16
申请号 TW092112541 申请日期 2003.05.08
申请人 财团法人工业技术研究院 发明人 许志荣;李钧道;李正中;何家充;张悠扬
分类号 H01J31/12 主分类号 H01J31/12
代理机构 代理人
主权项
地址 新竹县竹东镇中兴路四段一九五号