| 摘要 |
一种半导体薄膜的结晶化方法，包含有：于基板(10)上形成半导体薄膜(14)的步骤；于该半导体薄膜或该半导体薄膜上，形成带状之用以阻碍该半导体薄膜之结晶成长之部份(16)的步骤；及藉着于与该用以阻碍结晶成长之部份之长向交叉的方向扫描连续波之能量束(18)，使该半导体薄膜结晶的步骤。由于扫描能量束，俾与该用以阻碍结晶成长之部份交叉，故当能量束之照射区域与该用以阻碍结晶成长之部份交叉时，可阻碍结晶成长延续。因此，即使在使未形成岛状图案之完整状半导体薄膜结晶时，还是可一边防止膜剥离，一边高良率地形成具有良好结晶的半导体薄膜。 |
