在一绝缘体上制造一应变的结晶层的方法、用于该方法的半导体结构及所制造的半导体结构

摘要

本发明系适于在绝缘体上制造应变结晶层的方法及半导体结构，以及藉此所制造的半导体结构。本发明方法包含有：提供含有锗和／或A(III)–B(V)半导体的半导体施体基板；在第一个步骤中提供至少一个第一结晶磊晶层，其中该第一层之缓冲层的锗和／或A(III)–B(V)半导体含量系于该第一个步骤期间降低；在第二个步骤中提供至少一个绝缘层，其中该第一层设于该基板与该绝缘层之间；在第三个步骤中分裂该第一层；以及在第四个步骤中提供至少一个第二结晶磊晶层于该经分裂的第一层上。