半导体装置之制造方法及半导体制造装置

摘要

本发明系在矽晶圆101上之闸极氧化膜102上形成多晶矽膜以形成多晶矽电极层103(第一电极层)。在该多晶矽电极层103上形成钨层105(第二电极层)。另外，在形成钨层105之前，事先将导电性障壁层104形成于多晶矽电极层103上。之后，将氮化矽层106当作蚀刻遮罩并进行蚀刻处理。然后，在剥离出之多晶矽层103露出面上利用电浆氧化处理以形成氧化绝缘膜107。藉此，不会使钨层105氧化而可对多晶矽电极层103进行选择性的氧化处理。