制造半导体装置之方法及半导体装置

摘要

本发明提供一种制造半导体装置之方法，其包含：在下层互连表面上形成保护薄膜；及藉由在该保护薄膜表面上以此次序堆叠第一多孔薄膜、第一无孔薄膜、第二多孔薄膜及第二无孔薄膜，来形成一多层结构薄膜；及形成一导通孔及一互连沟槽。当移除抗蚀剂遮罩后，移除曝露于导通孔底部之保护薄膜。藉由在导通孔及互连沟槽中嵌入互连材料来形成具有双波纹结构之上层互连。第一无孔薄膜包括相对于保护薄膜具有高蚀刻选择率之第一层，及相对于抗蚀剂遮罩及第二多孔薄膜具有高蚀刻选择率之第二层。