半导体装置之制造方法

摘要

一种半导体装置之制造方法，用于取得高电阻，温度系数小，且薄膜电阻之晶圆面内均匀性优之电阻元件。其制造方法为：在半导体基板(1)上形成场氧化膜(2)，在该场氧化膜(2)上，利用LPCVD方法形成无掺杂之矽膜(3)。该矽膜(3)，系非晶矽膜或多晶矽膜。向该矽膜(3)中植入离子BF2^＋。并且在该离子植入前或植入后，进行750℃以下之低温N2退火处理。