自动对准接触插塞及其制造方法

摘要

一种先进半导体元件结构，先进电晶体包括超薄体电晶体和多闸极电晶体。其中先进电晶体的源／汲极区为一闸极堆叠所分隔。一接触间隙壁位于闸极堆叠的侧壁，一被动层覆盖先进电晶体，接触插塞位于被动层内，接触插塞与部分接触间隙壁及源／汲极区连接。制造自动对准接触插塞的方法包括先形成接触间隙壁，再形成被动层。接着，形成接触孔洞于被动层内，再于接触孔洞填满导体材质。