| 摘要 |
一种半导体装置系具有p型基材、形成于该p型基材中的低浓度n型区域、形成于该低浓度n型区域中并连接至第一电极之第一高浓度p型区域，形成于该低浓度n型区域中并透过电阻元件连接至该第一电极之第一高浓度n型区域，邻接于该第一高浓度n型区域而形成的低浓度p型区域，形成于p型基材中并连接至第二电极之第二高浓度n型区域与第二高浓度p型区域，以及形成于该低浓度p型区域与该第二高浓度n型区域间之元件分离部。透过该半导体装置可精确的控制静电保护电路之切换特性并因此用以应付受到保护电路保护之闸极氧化薄膜的薄型化。 |
