基底,基底制造方法,和半导体装置

摘要

本发明系关于一种基底的制造方法，包含形成第一基底，其具有一分离层和在分离层上之Ge层；藉由结合第一基底经由一绝缘层至第二基底以形成一结合基底堆叠；和在分离层上分割结合基底堆叠，藉以获得具有GOI构造之基底。