平面显示器及其制造方法

摘要

本发明提供一种平面显示器，其系藉由四道蚀刻程序来定义第二金属层(M2)、掺杂的半导体层和半导体层。第一道是湿蚀刻，以第一光阻层为罩幕，湿蚀刻定义第二金属层。第二道是含氧的乾蚀刻，在蚀刻期间第一光阻层会被部份灰化而变成具有通道图案的第二光阻层，并同时蚀刻掺杂的半导体层和半导体层。第三道是湿蚀刻，以第二光阻层为罩幕，湿蚀刻第二金属层。第四道是乾蚀刻，以第二光阻层为罩幕，蚀刻掺杂的半导体层，以定义出源极和汲极。上述之第二金属层藉由两次的湿蚀刻制程使其边缘内缩，而掺杂的半导体层则藉由一次的含氧乾蚀刻制程使其边缘往内缩至与第一次湿蚀刻后的第二金属层之边缘相同。藉此，可以缩小第二金属层的边缘与掺杂的半导体层边缘之距离。