发明名称 半导体记忆装置及其控制方法
摘要 本发明之半导体记忆装置,系具有将复数个记忆单元配置成矩阵状之记忆单元阵列、复数条字线、复数条位元线、解码电路及感测单元。在解码电路上,输入位址信号与第一控制信号,且根据上述第一控制信号,驱动作为依上述位址信号所特定之字线的选择字线、或驱动作为邻接上述选择字线之字线的邻接字线。感测单元,系连接在上述位元线上,且读出储存在连接于依上述解码电路所驱动之字线上之记忆单元内的资料。
申请公布号 TW200425418 申请公布日期 2004.11.16
申请号 TW092125747 申请日期 2003.09.18
申请人 东芝股份有限公司 发明人 池桥民雄;大泽隆
分类号 H01L21/8242;G11C11/401 主分类号 H01L21/8242
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 日本