发明名称 | 形成型辅助电极的方法 | ||
摘要 | 本发明提供了一种改善π形辅助电极与铟锡氧化透明导电膜之间附着性的方法。其方法包含提供一玻璃基板,另外,在玻璃基板上利用溅镀的方式将做为铟锡氧化电极的铟锡氧化透明导电膜形成在玻璃基板上方。接着,在铟锡氧化透明导电膜上形成一线形并且具有凹洞之光阻层,利用蚀刻的方式,将部份的铟锡氧化透明导电膜移除,使得在铟锡氧化透明导电膜内具有一凹洞并且将部份的玻璃基板曝露出来。接着,在移除光阻之后,利用印刷的方式,将做为辅助电极的银膏层形成在玻璃基板及铟锡氧化透明导电膜的上方,由于π形辅助电极的π形端位于凹洞上,π形辅助电极与曝露出凹洞的玻璃基板有良好的附着性,使得π形辅助电极与铟锡氧化透明导电膜之间的附着性增加。因此,发生角边翘曲的现象大幅的降低。 | ||
申请公布号 | TW200424143 | 申请公布日期 | 2004.11.16 |
申请号 | TW092112676 | 申请日期 | 2003.05.09 |
申请人 | 中华映管股份有限公司 | 发明人 | 黄文荣;林永池;郑景中;李胜吉 |
分类号 | C03C17/06;G02F1/1343 | 主分类号 | C03C17/06 |
代理机构 | 代理人 | 陈达仁;谢德铭 | |
主权项 | |||
地址 | 台北市中山区中山北路三段二十二号 |