发明名称 | 成膜装置及其所使用之原料供给装置,气体浓度测定方法 | ||
摘要 | 本发明之目的在提供一种CVD成膜装置,其系即使藉由使用低蒸气压原料之CVD法成膜时,仍可高度精密且迅速地调整载气中之原料气体浓度。本发明系一种成膜装置,其具备于成膜室内供给成膜用之原料气体用之原料供给装置,上述原料供给装置之特征为包含:浓度测定手段,其系测定搬运原料气体之载气中该原料气体之浓度;及惰性气体流量控制手段,其系依据上述原料气体之测定浓度,增减附加于上述载气之惰性气体流量。藉由增减惰性气体之流量,可轻易且迅速地控制原料气体之浓度。 | ||
申请公布号 | TW200425220 | 申请公布日期 | 2004.11.16 |
申请号 | TW092118920 | 申请日期 | 2003.07.10 |
申请人 | 东京威力科创股份有限公司 | 发明人 | 山崎英亮;河野有美子 |
分类号 | H01L21/00;G01N21/35 | 主分类号 | H01L21/00 |
代理机构 | 代理人 | 陈长文 | |
主权项 | |||
地址 | 日本 |