发明名称 成膜装置及其所使用之原料供给装置,气体浓度测定方法
摘要 本发明之目的在提供一种CVD成膜装置,其系即使藉由使用低蒸气压原料之CVD法成膜时,仍可高度精密且迅速地调整载气中之原料气体浓度。本发明系一种成膜装置,其具备于成膜室内供给成膜用之原料气体用之原料供给装置,上述原料供给装置之特征为包含:浓度测定手段,其系测定搬运原料气体之载气中该原料气体之浓度;及惰性气体流量控制手段,其系依据上述原料气体之测定浓度,增减附加于上述载气之惰性气体流量。藉由增减惰性气体之流量,可轻易且迅速地控制原料气体之浓度。
申请公布号 TW200425220 申请公布日期 2004.11.16
申请号 TW092118920 申请日期 2003.07.10
申请人 东京威力科创股份有限公司 发明人 山崎英亮;河野有美子
分类号 H01L21/00;G01N21/35 主分类号 H01L21/00
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 日本