一种利用准分子雷射再结晶制程来制作多晶矽薄膜的方法

摘要

本发明是先提供一表面定义有第一、第二及第三区域之基板，接着于该基板上形成一非晶矽薄膜，再移除部分之该非晶矽薄膜，以于该第三区域内形成一对准标记，随后于该非晶矽薄膜上形成一遮罩层，并移除该第一区域内之该遮罩层，以进行该准分子雷射再结晶制程，使得该第一区域内之该非晶矽薄膜再结晶成一多晶矽薄膜。