互补金氧化半导体影像感测元件及制造方法

摘要

一种互补金氧化半导体影像感测元件，至少包括非单结晶系矽基板、不透光层、多晶矽层、源极、汲极、闸极介电层、第一透明闸电极及第二透明闸电极。不透光层系形成于非单结晶系矽基板上，多晶矽层系形成于不透光层上，并具有一电荷产生区。源极及汲极系形成于多晶矽层中，源极及汲极之间的多晶矽层系形成一预定通道区，源极系位于预定通道区及电荷产生区之间。闸极介电层系形成于多晶矽层上，第一透明闸电极及第二透明闸电极系形成于闸极介电层上，并分别位于电荷产生区及预定通道区之上方。