利用高温含氢电浆由处理室及晶圆表面移除物质的方法与设备

摘要

本发明系提供一种清洁处理室及晶圆表面之方法与设备。此方法是使用一氢气和惰性气体之气体混合物，譬如一氢含量介于20％到80％体积百分比之气体混合物，将此气体混合物供给到一半导体晶圆处理设备中的处理室里，及使用在不施加偏压于被清洁之晶圆表面的情况下，在此气体混合物里仅产生一高密度电浆之电感耦合电浆源。在本发明的例子里，矽及二氧化矽污染物或氟化碳污染物，在进行后续金属沉积制程之前，便从矽接点上被清除。在本发明的另一个例子里，矽残留污染物，在进行氧化物蚀刻制程之前，便从半导体晶圆处理室内部表面被移除，使氧化物蚀刻速率能回复到正常位准。