发明名称 金属氧化粉或半导体氧化粉之制造方法及氧化粉,固体及其应用
摘要 本发明系关于一种制造具有高导电性之奈米结构之混合氧化物(例如,铟–锡–氧化物)之方法、以及一氧化粉、一固体及其作为溅射靶之应用。该氧化物藉由合成反应制造,其中液态合金系以极热电浆溅射。该合成反应在极高温度下引发,并继控制热状态,因而产生无任何缺陷且可使电荷高迁移率之结晶结构。
申请公布号 TW200424120 申请公布日期 2004.11.16
申请号 TW092112827 申请日期 2003.05.12
申请人 W C 希瑞思公司 发明人 班纳德P. 瑟洛尔;米雪儿 瑟洛尔
分类号 C01B13/32;C01G19/02;C01G15/00 主分类号 C01B13/32
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 德国