发明名称 |
金属氧化粉或半导体氧化粉之制造方法及氧化粉,固体及其应用 |
摘要 |
本发明系关于一种制造具有高导电性之奈米结构之混合氧化物(例如,铟–锡–氧化物)之方法、以及一氧化粉、一固体及其作为溅射靶之应用。该氧化物藉由合成反应制造,其中液态合金系以极热电浆溅射。该合成反应在极高温度下引发,并继控制热状态,因而产生无任何缺陷且可使电荷高迁移率之结晶结构。 |
申请公布号 |
TW200424120 |
申请公布日期 |
2004.11.16 |
申请号 |
TW092112827 |
申请日期 |
2003.05.12 |
申请人 |
W C 希瑞思公司 |
发明人 |
班纳德P. 瑟洛尔;米雪儿 瑟洛尔 |
分类号 |
C01B13/32;C01G19/02;C01G15/00 |
主分类号 |
C01B13/32 |
代理机构 |
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代理人 |
陈长文 |
主权项 |
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地址 |
德国 |