| 摘要 |
<P>L'invention concerne un procédé de formation d'une couche de carbure de silicium (3, 4) sur une tranche de silicium (1), caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes :déposer un masque anti-carburation (2) sur la plaquette selon un motif sensiblement en damier ;procéder à une étape de carburation dans des conditions telles que la contrainte résiduelle soit de type en extension, respectivement en compression ;éliminer le masque ;procéder à une étape de carburation dans des conditions telles que la contrainte résiduelle soit de type en compression, respectivement en extension.</P> |
