| 主权项 |
1.一种用于供应在半导体制程中所使用之气体的方法,包含如下之步骤:首先于一第一位置阻挡经由一分配头供应之气体俾沿着相对于气体之主供应方向的侧供应方向扩散被阻挡的气体;首先把被第一次扩散的气体导引向一工作件,在其中,气体要被供应;于一第二位置第二次阻挡被第一次导引的气体俾沿着该侧供应方向第二次扩散被阻挡的气体,该第二位置比该第一位置更接近该工作件;及第二次导引被第二次扩散的气体俾供应被第二次导引的气体至该工作件上。2.如申请专利范围第1项所述之方法,更包含如下之步骤:连续地第(n-1)次和第n次阻挡被第二次扩散的气体;及第(n-1)次和第n次沿着该侧供应方向扩散被第(n-1)次和第n次阻挡的气体俾把被第(n-1)次和第n次扩散的气体供应至该工作件,其中,n是为一自然数。3.一种用于供应在半导体制程中所使用之气体的方法,包含如下之步骤:准备一处理腔室,该处理腔室具有一分配头和至少两个扩散器,该分配头系用于供应和导引处理气体,该至少两个扩散器系用于阻挡经由该分配头供应之处理气体俾沿着相对于该处理气体之主供应方向的侧方向扩散该被阻挡的处理气体;把一基体定位于该分配头下面以致于该基体系面对该分配头;把该处理气体引入至该分配头;首先于一第一位置阻挡经由该分配头供应的气体俾首先沿着该处理气体之主供应方向的侧分向把被阻挡的气体扩散;首先把被第一次扩散的处理气体导引在该分配头之中央部份四周;于一第二位置第二次阻挡被第一次导引的气体俾沿着该处理气体之主供应方向的侧方向第二次扩散被阻挡的气体,该第二位置比该第一位置更接近该基体;第二次导引被第二次扩散的处理气体俾把被第二次导引的处理气体供应至该分配头的周边部份;及把被第二次导引的处理气体供应至被置放于该腔室中的基体上。4.如申请专利范围第3项所述之方法,更包含如下之步骤:连续地第(n-1)次和第n次阻挡被第二次扩散的气体;及第(n-1)次和第n次沿着该侧供应方向扩散被第(n-1)次和第n次阻挡的气体俾把被第(n-1)次和第n次扩散的气体供应至被置放于该腔室中的基体,其中,n是为一自然数。5.如申请专利范围第3项所述之方法,其中,该腔室是为一电浆反应腔室。6.如申请专利范围第5项所述之方法,其中,该腔室包含一用于利用电浆反应形成一薄膜的处理腔室。7.如申请专利范围第5项所述之方法,其中,该腔室包含一用于利用电浆反应把形成于该基体上之薄膜蚀刻的处理腔室。8.一种用于供应在半导体制程中所使用之气体的装置,包含:一用于导引该气体及均称地把被导引之气体供应至一选择部份的分配头,该分配头在其内具有一空间;一建立于该分配头之较高部份的第一扩散器,在该分配头之空间内部的气体系被引入至其内,该第一扩散器占用该分配头之空间的中央部份,该第一扩散器系用于首先阻挡经由该分配头供应的气体及用于首先沿着相对于该气体之主供应方向的侧供应方向扩散被第一次阻挡的气体俾把被第一次扩散的气体供应至该分配头之中央部份的四周;及一建立于在该分配头之空间内部之第一扩散器下面的第二扩散器,该第二扩散器占用该分配头之空间的周边部份,该第二扩散器系用于第二次阻挡经由该第一扩散器供应的气体及用于沿着该侧供应方向第二次扩散被第二次阻挡之气体俾把被第二次扩散的气体供应至该分配头的周边部份。9.如申请专利范围第8项所述之装置,更包含依序地建立于该第二扩散器下面的第(n-1)个扩散器和第n个扩散器,该第(n-1)个扩散器和第n个扩散器占用比该第二扩散器较外之周边部份、连续地第(n-1)次和第n次阻挡被第二次扩散的气体;及第(n-1)次和第n次沿着该侧供应方向扩散被第(n-1)次和第n次阻挡的气体,其中,n是为一自然数。10.如申请专利范围第8项所述之装置,其中,该分配头包含一入口和一出口,气体被引入至该入口而气体系经由该出口释放。11.如申请专利范围第10项所述之装置,其中,该出口包含数个孔。12.如申请专利范围第8项所述之装置,其中,该第一扩散器具有一圆形板片形状而该第二扩散器具有一环形板片形状。13.如申请专利范围第12项所述之装置,其中,该第二扩散器被建构来围绕该第一扩散器,该第二扩散器与该第一扩散器分隔一预定的间距。14.一种在半导体制程中所使用的处理设备,包含:具有一支座的处理腔室,一基体被安装于该支座上,该处理腔室系用于处理该基体;及一气体供应装置,该气体供应装置包括:一用于导引该气体及均称地把被导引之气体供应至该处理腔室的分配头,该分配头在其内具有一空间;一建立于该分配头之较高部份的第一扩散器,在该分配头之空间内部的气体系被引入至其内,该第一扩散器占用该分配头之空间的中央部份,该第一扩散器系用于首先阻挡经由该分配头供应的气体及用于首先把被第一次阻挡的气体沿着相对于该气体之主供应方向的侧供应方向扩散俾把被第一次扩散的气体供应至该分配头之中央部份的四周;及一建立于在该分配头之空间内部之第一扩散器下面的第二扩散器,该第二扩散器占用该分配头之空间的周边部份,该第二扩散器系用于第二次阻挡经由该第一扩散器供应的气体及用于第二次把被第二次阻挡之气体沿着该侧供应方向扩散俾把被第二次扩散的气体供应至该分配头的周边部份。15.如申请专利范围第14项所述之设备,其中,该气体供应装置更包含依序地建立于该第二扩散器下面的第(n-1)个扩散器和第n个扩散器,该第(n-1)个扩散器和第n个扩散器占用比该第二扩散器较外之周边部份、连续地第(n-1)次和第n次阻挡被第二次扩散的气体;及第(n-1)次和第n次沿着该侧供应方向扩散被第(n-1)次和第n次阻挡的气体,其中,n是为一自然数。16.如申请专利范围第14项所述之设备,其中,该腔室是为一用于利用电浆反应形成一薄膜于该基体上的电浆腔室。17.如申请专利范围第14项所述之设备,其中,该腔室是为一用于利用电浆反应把形成于该基体上之薄膜蚀刻的电浆腔室。18.如申请专利范围第14项所述之设备,其中,该分配头包含一入口和一出口,气体被引入至该入口而该出口具有数个孔,气体系经由该等孔被释放。19.如申请专利范围第14项所述之设备,其中,该第一扩散器具有一圆形板片形状而该第二扩散器具有一环形板片形状,该第二扩散器围绕该第一扩散器并且系与该第一扩散器分隔一预定的间距。图式简单说明:第1图是为在习知半导体制程中所使用之处理设备的简化示意图;第2图是为被建立于第1图之设备中之扩散器的立体图;第3图是为显示使用第1图之设备形成于一基体上之薄膜之状态的简化剖视图;第4图是为本发明较佳实施例在半导体制程中所使用之处理设备的简化剖视图;第5图是为被建立于第4图之处理设备中之第一和第二扩散器的平面图;第6图是为本发明另一较佳实施例在半导体制程中所使用之处理设备的简化示意图;第7图是为被建立于第4图之处理设备中之分配头的立体图;第8图是为描绘本发明一较佳实施例之气体供应方法的流程图;第9图是为描绘本发明另一较佳实施例之至一腔室之气体供应方法的流程图;第10图是为显示利用第4图之设备形成于一基体上之薄膜之状态的简化剖视图;及第11图是为显示利用第4图之设备形成于一基体上之图型之状态的简化剖视图。 |
