| 主权项 |
1.一种次微米解析度光学同调断层摄影技术,用于量测一待测物,包括:一光源,发射短波长的光线并经过萤光粉而产生具有宽频谱的第一光线;一干涉仪,将来自该光源的该第一光线分成第二光线与第三光线;一反射镜,反射该第二光线而成为参考光线;该待测物反射上述第三光线而产生的第四光线与该参考光线在上述之干涉仪中产生干涉。2.如申请专利范围第1项所述之次微米解析度光学同调断层摄影技术,其中该宽频谱为数百奈米宽。3.如申请专利范围第1项所述之次微米解析度光学同调断层摄影技术,其中该具有宽频谱的第一光线可为近红外光范围。4.如申请专利范围第1项所述之次微米解析度光学同调断层摄影技术,其中该光源为发光二极体。5.如申请专利范围第1项所述之次微米解析度光学同调断层摄影技术,其中该第一光线为白光。6.如申请专利范围第1项所述之次微米解析度光学同调断层摄影技术,其中该宽频谱的波长范围在400nm至700nm之间。7.如申请专利范围第1项所述之次微米解析度光学同调断层摄影技术,其中该第一光线系由蓝光氮化镓发光二极体与黄色石榴石萤光粉所产生。8.如申请专利范围第1项所述之次微米解析度光学同调断层摄影技术,其中该第一光线系由紫外光发光二极体与红、蓝、绿三原色萤光粉所产生。9.如申请专利范围第1项所述之次微米解析度光学同调断层摄影技术,其中该光源为一发射蓝光之发光二极体,并经过萤光粉而产生宽频谱同调的第一光线。10.如申请专利范围第1项所述之次微米解析度光学同调断层摄影技术,其中该光源为一发射紫外光之发光二极体,并经过萤光粉而产生的宽频谱同调的第一光线。11.如申请专利范围第1项所述之次微米解析度光学同调断层摄影技术,其更包括一侦测器,将该干涉仪中该参考光线与该第四光线之干涉转换成电子讯号。12.如申请专利范围第11项所述之次微米解析度光学同调断层摄影技术,其更包括一讯号处理装置,用来分析该侦测器所转换而得的电子讯号。图式简单说明:第1图为光学同调摄影术之系统示意图。第2图为麦克逊干涉之结构的示意图。第3图为采用习知光源的光学同调断层摄影术之干涉条纹强度与同调长度的座标图。第4图为本发明之实施例所采用的光源之频谱图。第5图为本发明之实施例的干涉条纹与延迟长度的座标图,以及同调长度。 |
