自由浮动遮蔽以及半导体处理系统

摘要

提供一种保护遮蔽装置及包含保护遮蔽装置之半导体处理系统。遮蔽装置包含一框组件，含有一对分开之端壁，及一对侧壁延伸于端壁之间，并安装于其上，及多个遮蔽体由框组件携带。遮蔽体各包含一基部具有连续之单位框，一穿孔板由连续框携带，一充气室在基部及穿孔板之间，及一气体移送装置用以移送惰性气体至充气室，其流率在使气体扩散通过穿孔板。化学蒸气沉积系统包含多个处理室，一输送带用以输送基体通过处理室，缓冲模组使处理室与其余处理径路隔离，所有均包裹于一盖罩内。安装于处理室中之保护遮蔽装置包含注射器遮蔽体置于注射器邻近，及分部遮蔽体与注射器遮蔽体分开，一入口在注射器遮蔽体之间，及一出口在分部遮蔽体之间，供反应剂流过保护遮蔽装置。分部遮蔽体各包含充气室，充有惰性气体，及一底出口连接至充气室，用以移送惰性气体之供应于保护遮蔽装置下方，以形成缓冲障壁于注射口之相对侧。遮蔽体抓住穿孔板及遮蔽体，俾该板及遮蔽体基部在变化之温度情况下能相互并对端壁自由膨胀及收缩。维持 CVD处理所需之精确室形状控制。缓冲模组连接至公共旁通排气管，此与系统不相关联。处理室连接至公共室排气充气室，此与旁通排气管分开。分开之排气径路可分开控制，及系统内之气体流大致恒定不变。

主权项

1.一种化学蒸气沉积系统用之保护遮蔽装置,包含:一框组件,包含一对相分开之端壁,及一对侧壁延伸于其间,并安装于端壁上;及第一及第二注射器遮蔽体,由框组件携带,注射器遮蔽体设置界定该保护遮蔽位置之一第一表面,能与一注射器相邻,注射器遮蔽体相分开,以界定一注射口于其间,供反应剂自注射器流过保护遮蔽装置,第一及第二其他遮蔽体,由框组件携带,其他遮蔽体与注射器遮蔽体分开,并设置界定保护遮蔽装置之一第二表面,与第一表面相对,以界定出口于其间,供反应剂流过保护遮蔽装置,其他遮蔽体连续至有关之一侧壁;注射器遮蔽体及其他遮蔽体各为单件基部所构成,具有一单位框构制于基部之周边周围,一穿孔板由单位框携带,一充气室部份界定于基部及穿孔板之间,及一气体移送装置用以移送惰性气体至充气室,其流率在使气体扩散通过穿孔板。2.如申请专利范围第1项所述之保护遮蔽装置,其中,侧壁包含一通气遮蔽装置。3.如申请专利范围第1项所述之保护遮蔽装置,其中,另外遮蔽体各包含一底出口网板,携带于单位框中,并连接至其充气室,供惰性气体流过分部遮蔽体,以形成惰性气体障壁区于第二表面下方。4.如申请专利范围第1项所述之保护遮蔽装置,其中,注射器遮蔽体及其他遮蔽体各具有相分开之末端,及端壁造形配合遮蔽体之末端,以保持遮蔽体于框组件中。5.如申请专利范围第4项所述之保护遮蔽装置,其中,端壁具有凹入区,构形配合所构制之遮蔽体之末端于其中,及遮蔽体之末端置于凹入区中,当遮蔽体在变化之温度情况下膨胀及收缩时,遮蔽体之末端可移动于凹入区内。6.如申请专利范围第1项或第5项所述之保护遮蔽装置,其中,穿孔板由连续单位框保持固定,俾穿孔板在变化之温度情况下膨胀及收缩时,穿孔板可对连续单位框移动。7.如申请专利范围第6项所述之保护遮蔽装置,其中,连续单位框具有一槽构制于其中,及穿孔板置于槽中,及穿孔板在变化之温度情况下膨胀及收缩时,穿孔板可移动于该槽内。8.如申请专利范围第1项所述之保护遮蔽装置,其中,气体移送装置为一计量管置于充气室中,计量管具有至少一多孔壁,供气体扩散通过多孔壁而进入充气室中。9.如申请专利范围第1项所述之保护遮蔽装置,其中,气体移送装置为一导管置于充气室中,导管延伸通过端壁之一,并自其外部安装其于端壁之一上。10.如申请专利范围第1项所述之保护遮蔽装置,其中,侧壁包含可移去之壁薄垫片,由遮蔽体组件携带,以提供遮蔽体组件与外排气通道壁间之密封。11.一种化学蒸气沉积系统,联合包含:多个处理室,其中各具有一注射器,用以注射反应剂于处理室中,及排气管置于注射器之相对侧边上;一输送带,用以输送基体沿处理径路通过处理室;多个缓冲模组,使处理室与其余处理径路隔离;一盖罩,包围处理室,缓冲模组,及输送带之处理径路;及申请专利范围第1项所述之保护遮蔽装置,安装于处理室中,用以保护注射器表面及排气口之入口。图式简单说明:图1为现有之先行技艺(APCVD)处理系统之概要图,此可加装本发明之保护遮蔽装置。图2为图1之CVD系统之处理模组或室之概要图,显示现有之先行技艺式之气体遮蔽装置。图3为本发明之保护遮蔽装置之概要图,部份切去,显示安装于处理模组中。图4为图1之遮蔽组件之图画4图。图5为预制之穿孔网板之图画图,跨越于图3之遮蔽组件之注射器出口及内排气口之间。图6为图3之遮蔽组件之端壁及内计量管之顶平面图。图7为图3之遮蔽组件之端壁之前平面图。图8为影致沿图7之线8-8上所取之断面图。图9为在图7之圆圈9-9内之区域所取之放大图。图10为图3之遮蔽组件之注射器部份气体移送组件之端视图。图11为在图10之圆圈11-11内之区域所取之放大图。图12为图3之遮蔽组件之分部气体移送组件之端视图。图13为在图12之圆圈13-13内之区域所取之放大图。图14为本发明之另一实施例之遮蔽组件之断面图。图15为新CVD系统处理盖罩之概要图,能排出缓冲模组中多余气体,同时经由使用新遮蔽装置确保安全拘束处理气体。图16为本发明之另一实施例之遮蔽组件之断面图。图17a及17b分别为图16之遮蔽组件之端视图,及大致在圆圈17b-17b内之区域所取之放大图。图18a及18b为图16之遮蔽组件之遮蔽体之图画图,并显示该板插进遮蔽体中。图19a及19b分别为图16之另一遮蔽组件之端视图,及大致在圆圈19b-19b内之区域所取之放大图。图20a为图16之遮蔽组件之端壁内之前平面图。图20b为图20a之端壁外之前平面图。图21为图16之遮蔽组件之断面图,显示组合于通气覆缘中之通气遮蔽组件。图22a及22b分别为图16之另一遮蔽组件之侧壁之一及垫片之端视图,及大致在圆圈22b-22b内之区域所取之放大图。图23为计量之照片图,包含本发明之另一实施例之一凸缘。图24a及24b为CVD系统处理盖罩之概要图,能排出缓冲模组中多余之室气体,同时经由使用新遮蔽装置确保安全拘束处理气体。图25为顶面图,显示经由图24之CVD系统处理盖罩排放之各种气体之径路。图26为遮蔽组件及注射器之一部份之断面图,显示气体流。图27为通气覆缘中所组合之遮蔽组件之另一实施例之透视图。图28为图27之遮蔽组件之分解图。图29为图27之遮蔽组件之通气框之透视图。图30为图27之遮蔽组件之分部遮蔽装置框之透视图。图31为图27之遮蔽组件之端壁之透视图。