| 主权项 |
1.一种磁控溅镀系统之可变式靶源机构,该磁控溅镀系统具有一界定出一溅镀空间之溅镀腔,可将待溅镀工件置于该溅镀空间中进行溅镀,该可变式靶源机构包含:一靶源装置5,具有一冷却单元、一靶源单元,及一遮控单元,该冷却单元设置于该溅镀空间中,可对该靶源单元进行热交换,该靶源单元环设于该冷却单元上,该遮控单元是可移动地环遮该靶源单元的部分区域,且该靶源单元是由未被该遮控单元遮覆之区域溅射出多数溅镀粒子至该溅镀空间中;及磁控装置,具有一磁场单元,及一升降单元,该磁场单元是可移动地设置于该冷却单元中,且由该昇降单元带动而在该冷却单元中对应该遮控单元环遮该靶源单元的部分区域移动,并自未被该遮控单元环遮之部分区域向该溅镀空间形成一磁场。2.如申请专利范围第1项所述磁控溅镀系统之可变式靶源机构,其中,该冷却单元具有一外管、一套设于该外管中之内管,及一冷却液,该外管、内管共同界定出一包括一入口及一出口之冷却空间,使该冷却液可自该入口进入该冷却空间中并自该出口离开该冷却空间,使该冷却单元可对该靶源单元进行热交换。3.如申请专利范围第2项所述磁控溅镀系统之可变式靶源机构,其中,该外管及该内管是以铜为材质制成。4.如申请专利范围第1项所述磁控溅镀系统之可变式靶源机构,其中,该靶源单元具有至少二组成成分不同之靶材,每一靶材成一中空之圆柱态样,可依序间隔地套固于该冷却单元之一外周面上。5.如申请专利范围第4项所述磁控溅镀系统之可变式靶源机构,其中,该每一靶材是以软焊方式固定于该冷却单元之外周面上。6.如申请专利范围第4项所述磁控溅镀系统之可变式靶源机构,其中,该靶材是以金属、合金,及/或陶瓷材料制成。7.如申请专利范围第1项所述磁控溅镀系统之可变式靶源机构,其中,该遮控单元具有一管形之遮罩、一与该遮罩连结之螺杆,及一可带动该螺杆之动力件,该遮罩包括复数间隔设置的开孔,该动力件可带动该螺杆转动进而带动该遮罩相对该冷却单元上下移动,使得该靶源单元藉由该复数开孔与该溅镀空间相连通。8.如申请专利范围第7项所述磁控溅镀系统之可变式靶源机构,其中,该动力件是一气压缸。9.如申请专利范围第1项所述磁控溅镀系统之可变式靶源机构,其中,该磁场单元之磁极强度介于1000高斯至4000高斯之间。10.如申请专利范围第9项所述磁控溅镀系统之可变式靶源机构,其中,该磁场单元具有复数管形之永久磁铁,该复数永久磁铁是间隔地设置于该冷却单元中,且每一永久磁铁所形成之磁场方向均相同。11.如申请专利范围第1项所述磁控溅镀系统之可变式靶源机构,其中,该升降单元具有一与该磁场单元相连结之螺杆,及一可带动该螺杆之动力件,该动力件可带动该螺杆转动进而带动该磁场单元相对应于该遮控单元环遮该靶源单元的部分区域移动,而自未被该遮控单元环遮之部分区域向该溅镀空间形成一磁场。12.如申请专利范围第1项所述磁控溅镀系统之可变式靶源机构,其中,该动力件是一气压缸。图式简单说明:图1是一习知圆柱式靶源磁控溅镀系统的配置示意图,并说明其与待溅镀之工件的相关位置;及图2是本发明磁控溅镀系统之可变式靶源机构的一较佳实施例的配置示意图,并说明一遮控单元与一磁控单元在一第一位置时与待溅镀之工件的对应位置关系;图3是图2之另一配置示意图,说明该遮控单元与磁控单元在一第二位置时与待溅镀之工件的对应位置关系;及图4是本发明磁控溅镀系统之可变式靶源机构的另一配置示意图,并说明一遮控单元与一磁控单元相配合之对应关系。 |
